崔俊芝、倪光南、沈昌祥等院士将出席2018信博会

发布：2018-08-22  阅读：1647

 2018中国（济南）国际信息技术博览会将于9月27-29日在济南正式召开。从组委会获悉，崔俊芝、倪光南、沈昌祥等院士将出席本届信博会，并将本届大会同期论坛发表演讲。

    崔俊芝， 中国科学院数学与系统科学院计算数学与科学工程计算研究所研究员、博士生导师，1995年5月当选为中国工程院院士。

    倪光南，现为中国科学院计算所研究员，中国中文信息学会理事长，中国工程院院士。1961年毕业于南京工学院（今东南大学）。首创在汉字输入中应用联想功能，曾任中科院计算所公司（联想集团的前身）和联想集团首任总工程师，主持开发了联想式汉字系统、联想系列微型机，分别于1988和1992年获得国家科技进步一等奖，2011年和2015年分别获得中国中文信息学会和中国计算机学会终身成就奖。目前，一直致力于发展自主可控的信息核心技术和产业。

沈昌祥，海军少将，中国工程院院士， 海军司令部研究所总工程师，现任中国互联网协会标准工作委员会主任委员。中国工程院信息与电子工程学部常委、国家密码管理委员会办公室顾问，国家保密局专家顾问，公安部“金盾工程”特邀顾问，中国人民银行信息安全顾问，国家税务总局信息技术咨询委员会委员，中国计算机学会信息保密专业委员会主任，教育部高等学校信息安全类专业教学指导委员会主任，西安电子科技大学网络与信息安全学院学术委员会主任、博士生导师。

褚君浩，中国半导体物理和器件专家，中国科学院上海技术物理研究所研究员、红外物理学家。现任中国科学院上海技术物理研究所科技委副主任，东华大学理学院院长，第十届全国人大代表。2005年当选为中国科学院院士。长期从事红外光电子材料和器件的研究，开展了用于红外探测器的窄禁带半导体碲镉汞（HgCdTe）和铁电薄膜的材料物理和器件研究。提出了HgCdTe的禁带宽度等关系式，被国际上称为CXT公式，广泛引用并认为与实验结果最符合建立了研究窄禁带半导体MIS器件结构二维电子气子能带结构的理论模型发现HgCdTe的基本光电跃迁特性，确定了材料器件的光电判别依据开展铁电薄膜材料物理和非制冷红外探测器研究，研制成功PZT和BST铁电薄膜非制冷红外探测器并实现了热成像。

据组委会介绍，重点嘉宾邀请仍在继续，拟邀请国家相关部委领导、省市相关领导，同时还重点面向全球邀请互联网、IT、制造业、能源等方面顶级企业及其董事长或CEO，在智慧城市、智能制造、网络与信息安全、云计算与大数据、智慧能源、人工智能等领域权威性的专家学者，相关协会、联盟的负责人，力争将本届信博会办成在信息技术助力新旧动能转换方面代表一流、高端水平的展会。

目前嘉宾邀请工作仍在继续，届时将会有更多重量级嘉宾出席本次大会。